?

Log in

No account? Create an account
   Добро пожаловать в блог компании Galaxis о сфере информационных технологий, точнее индустрии DRAM и NAND памяти, о производителях комплектующих и конечных продуктах, анонсах новых предложений и технологий. Некоторые тематические отступления могут иметь место, но общее направление мысли сохраняется.

Tags:

Производитель Patriot Memory, поставщик различным систем хранения данных и карт памяти Compact Flash 2gb, анонсировал поступления в продажу новой линейки SSD накопителей начального уровня с интерфейсом SATA III объемом от 256 гигабайт до 2 терабайт. Patriot Memory впервые изменила своим правилам и заменила используемые ранее чипы управления Phison на устройства от Maxio Technology и Silicon Motion.

Состав и модельный ряд

Накопители выполнены в формовом факторе 2,5" / 7 мм и вариантах объема 256 ГБ, 512 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ. В первых трех моделях применяются чипы управления SM SM2258XT, а в флагманском устройстве на 2 терабайта установлен чип управления Maxio Tech. MAS0902A. В качестве памяти используется современная 3D NAND, но Patriot официально не опубликовать информацию о моделях и производителе чипов, а контроллеры Silicon Motion и Maxio Tech. успешно сочетаются с чипами от разных производителей.

Скорость передачи данных

По официальный информации от Patriot, SSD накопители линейки P200 способны демонстрировать скорость в режиме последовательного чтения до 530 мегабайт в секунду, а в режиме последовательной записи до 460 мегабайт в секунду, показатели IOPS при произвольном чтении/ записи до 90К/ 80К соответственно. Указанны данные показывают, что новинки от Patriot демонстрируют уровень скорости аналогичный  другим SSD приводам SATAIII, представленным на рынке.

Долговечность устройств

Read more...Collapse )

   Samsung Semiconductor, глобальный лидер по поставкам комплектующих для DRAM памяти, SSD приводов и карт compact flash 2GB, приступил к серийному изготовлению собственных устройств памяти LPDDR5 и планирует начать производство пакетов DRAM памяти с их применением. Пакеты DRAM LP DDR5 будут применяться в предстоящих флагманских смартфонах с емкостью памяти до 12 гигабайт в следующие несколько недель.

Применение устройств LP DDR5

  Устройства Samsung LPDDR5 12 гигабит предоставляют скорость трафика 5500 МТ/сек, что на треть превышает показатели используемой сейчас ОЗУ LPDDR4 4266MHz. Новые устройства 12 гигабит устройства LPDDR5 лягут в основу мобильных пакетов Samsung емкостью 12 гигабайт LPDDR5 с пропускной способностью 44 гигабайта в секунду.

Технологические преимущества новинки

  Компания приступила к выпуску чипов LPDDR5 объемом 12 гигабит на основе второго поколения 10 нанометрового технологического процесса, таким образом новые чипы обладают меньшими размерами и низким энергопотреблением, но Samsung официально не опубликовал показатели напряжения. На сегодняшний день известно, что чипы обладают переменным напряжением до 1,1 Вольт. По заявлению производителя, устройства LPDDR5 потребляют на треть меньше электроэнергии, чем представленные на рынке устройства мобильной DRAM памяти, в связи с применением улучшенного спящего режима и функции снижения энергопотребления, которая обеспечивают стабильное функционирование при работе на высоких частотах.

Основные потребители LPDDR5

Read more...Collapse )

Компания GALAX анонсировала выход новых solid-state drive накопителей с интерфейсом PCIe 4.0 x4 и скоростью до пяти гигабайт в секунду. Новые  твердотельные устройства Hall of Fame Pro в форм-факторе M.2 покажут свои достоинства при монтаже в системы на основе процессоров AMD Ryzen серии 3000 и платформы на основе AMD X570, так как на текущий момент ассортимент хостов, совместимых с PCIe 4.0, весьма ограничен.

Конфигурации и производительность

Устройства SSD Hall-of-Fame Pro выполнены с применением новейшего чипа управления Phison PS5016-E16 и трехмерной памяти TLC NAND от Тошиба. Производитель планирует выпускать модели объемом 500 гигабайт, 1 терабайт и 2 терабайта.

При последовательной производительности, solid-state drive приводы GALAX HOF Pro демонстрируют скорость до 5 гигабайт в секунду в режиме чтения и до 4,4 гигабайт в секунду в режиме записи, с учетом модели и объема устройства. При произвольной производительности производитель применяет прошивку, позволяющую предоставить до 750K/ 700K Input-Output Operations Per Second  в режимах чтения/ записи соответственно.

Конструктивные особенности

Read more...Collapse )

Производители из южной корее поставляют 70% DRAM и 50% трехмерной NAND, а также львиную долю OLED и ЖК дисплеев в мире. При этом, японские производители поставляют 70-90% из 3-ех материалов, очень важных для их производства. Давний конфликт между странами о компенсации за 2ую мировую войну подстегнул Японию ввести новые экспортные нормы, которые могут увеличить сроки поставки материалов в Южную Корею, что приведет к сбою поставок DRAM, NAND и ряда типов дисплеев.

Японские производители материалов

Японии компании контролируют 70-90% глобальных поставок полиимидов (применяемых в ЖК и OLED-дисплеях), фоторезистов и высокочистого фтористого водорода (применяемого при производстве чипов DRAM и NAND). Нормы, вступившие 4 июля, заставляют японских поставщиков оформлять индивидуальный экспорт для материалов в Южную Корею. Подобное оформление экспорта потребует срок до трех месяцев, обычные запасы южнокорейских производителей не превышают одного-двух месяцев.

В случае недостатка материалов на складе, южнокорейских производителям придется снизить объемы выпуска, что приведет к сбоям глобальных поставок модулей DRAM cb423a, трехмерной NAND, ЖК и OLED дисплеев.

Прогнозы корейских поставщиков

Read more...Collapse )

Американское правительство ввело запрет на экспорт в США для китайского производителя памяти Fujian JHICC,  поэтому китайскому правительству, для дальнейшего развития проекта «Made in China 2025», потребовалось создаст нового производителя DRAM. Компания Tsinghua Unigroup рассказала о создании бизнес подразделения DRAM, которое займется разработкой и производством полупроводниковой памяти.

Новый производитель DRAM

Компанию Ziguang, новую дочка Tsinghua Unigroup по производству dram, на посту генерального директора возглавит Чарльз Као, а пост председателя займет бывший высокопоставленный чиновник Министерства промышленности и ИТ Диао Шицзин. Чарльз Као является известной личностью в тайваньской индустрии, ранее он занимал посты председателя Inotera Memories и президента Nanya Technology. Сейчас Чарльз Као занимает пост председателя Yangtze Memory, китайского разработчика и производителя трехмерной NAND памяти.

Недостаток технологий

Read more...Collapse )

Аварийное прекращение подачи электричества в японской провинции Йоккаичи, случившееся 15 июня, обесточило совместную производственную площадку Toshiba и WD, ведущих мировых поставщиков SSD и карт compact flash 2gb. На данный момент производственные линии выборочно остановлены и, согласно текущим оценкам, продолжат работу не раньше середины июля.

Отключение электричества

Производитель WD прокомментировал, что отключение электричества продолжительностью 13 минут стало причиной сбоя в автоматике и оборудовании. По его оценкам, данное происшествие уменьшит объем поставок flash NAND в 3-ем квартале приблизительно на 6 эксабайт, на это приходится около 1/2 поставок NAND за квартал. Корпорация Toshiba не дает комментариев о последствиях влияния аварии на поставку своих NAND кристаллов, но сообщила, что на текущий момент производство выборочно остановлено. Стоит отметить, что так как Toshiba использует производственных площадей, чем WD, падение поставок их продукции может превысить 6 эксабайт и, по некоторым оценкам, приблизиться к 9 эксабайт.

Оценка убытком

Оба производителя заявляют, что продолжают оценить последствия аварии и окончательный размер понесенного финансового убытка пока не просчитан. Но даже если не учитывать потери в автоматике и оборудовании, утрата 6 эксабайт NAND памяти очень значительна. Такеж можно рассмотреть это происшествие как репутационные потери надежных поставщиков для обоих производителей.

Read more...Collapse )

  Корпорация Innodisk, специализирующаяся на разработке industrial опций оперативной памяти, ТТН и compact flash 2gb, анонсировала свой новый SSD накопитель, способный оказывать сопротивление высоким температурам и даже находиться под пламенем открытого огня. Fire Shield SSD ориентирован на применение в роли устройства «черного ящика» для транспортных судов и иных проектах, в которых существует необходимость наличия супернадежного носителя информации, важность которой неоспорима при расследовании причин и последствий катастроф, стихийных бедствий и иных трагических случаях.

  ТТН Innodisk Fire Shield будет поставляться в типоразмере 3,5-дюйма, носитель рассчитан на функционирование при температурах до 800 градусов Цельсия и воздействие открытого огненного пламени до 30 минут, после которого гарантируется 100% сохранность информации на устройстве.

Состав корпуса устройства

Read more...Collapse )

Есть много причин, по которым внешние накопители данных пользуются стабильным спросом в настоящее время, поэтому производители хранилищ данных стараются увеличить разнообразие своих моделей и представить продукты, соответствующие рыночным потребностям и обладающие некоторой индивидуальностью, выгодно отличающей их от конкурентов. Тайваньский производитель ADATA, известный разработчик устройств хранения и карт памяти compact flash 2gb, уже обладает разнообразной линейкой внешних накопителей на жестких магнитных дисках и твердотельных носителях пользовательского класса, поэтому в текущем году на мероприятии Computex компания показала новый сверхпрочный внешний HDD HD830, способный выдержать колоссальное давления, а также защищенный от воды, грязи и ударов.

Конфигурации и преимущества

  Внешний жесткий диск HD830 от ADATA поставляется в конфигурациях 2, 4 и 5 терабайт. НМЖД способен держать давление до 3 000 килограмм, для сравнения, этого хватит, чтобы выдержать столкновение с автомобилем. Также устройство спокойно переносит падения с высоты около 120 сантиметров и обычные удары или сотрясения, возникающие в процессе использования. HDD HD830 обеспечены защитой от грязи и воды, а также способны функционировать в течение 120 минут, находясь под водой на двухметровой глубине. Для подключения внешние жесткие диски используют кабель micro-USB 3.1 Type-B - USB 3.1 Type-A.

Защитная конструкция

Read more...Collapse )

  Корейский производитель СК Хайникс, международный игрок на рынке оперативной памяти, твердотельных накопителей и compact flash 2gb, анонсировал выпуск корпоративных Solid State Drive NVMe generation 2, выполненных полностью с использованием собственных разработок компании в сфере твердотельных накопителей. Представленные новинки объемом от четырех до восьми терабайт в зависимости от формового фактора демонстрируют рост скорости последовательного чтения на 30 процентов и увеличение скорости произвольной записи на 70 процентов по отношению к своим предшественникам. Крупные партнеры SK Hynix уже получили образцы устройств для проведения квалификационных испытаний.

Основные компоненты NVMe SSD Gen2

  Solid State Drive NVMe СК Хайникс enterprise класса Gen 2 используют xxbg управления Gemini,совместимого с восемью каналами NAND и 72-laers 3D TLC NAND 512 гигабит с размером страницы 13,5 мегабайт. Носители будут представлены с типоразмером M.2 в конфигурациях до 4 терабайт, а также с типоразмером факторе U.2 в конфигурациях до 8 терабайт.

Производительность NVMe SSD Gen2

  Производитель обещает, что его твердотельные приводы NVMe Gen 2 для корпоративных клиентов продемонстрируют скорость последовательного чтения до 3,2 гигабайт в секунду и Input Output Operations Per Second с произвольной записью до 160 000, что на порядок выше значений, продемонстрированных SSD NVMe предыдущего поколения, представленные около года назад.

Основные потребители

Read more...Collapse )

Latest Month

July 2019
S M T W T F S
 123456
78910111213
14151617181920
21222324252627
28293031   

Tags

Syndicate

RSS Atom
Powered by LiveJournal.com
Designed by Tiffany Chow